NextGO Epi, un specialist deeptech cu sediul în Berlin, a anunțat închiderea cu succes a unei runde de finanțare pre-seed în valoare de 2 milioane de euro. Investiția este destinată stimulării dezvoltării plăcilor epitaxiale din oxid de galiu (Ga2O3), un material considerat un potențial succesor al siliciului tradițional în aplicațiile semiconductorilor de putere.
Inovație provenită de la Institutul Leibniz
Lansat ca un spin-off al prestigiosului Institut Leibniz pentru Creșterea Cristalelor (IKZ) în 2025, NextGO Epi valorifică ani de cercetare pentru a crea plăci de înaltă performanță. Aceste componente sunt critice pentru următoarea generație de semiconductori de putere, care necesită o eficiență sporită și capacitatea de a funcționa sub tensiuni și temperaturi extreme.
Impactul asupra vehiculelor electrice
Dezvoltarea semiconductorilor din oxid de galiu este deosebit de relevantă pentru industria vehiculelor electrice (EV). Oferind un management termic superior și o eficiență energetică îmbunătățită comparativ cu soluțiile actuale bazate pe carbură de siliciu sau nitrură de galiu, aceste plăci ar putea conduce la timpi de încărcare mai rapizi și la o autonomie extinsă pentru viitoarele sisteme de transport electric.
